LYNM3555型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
LYNM3555型大功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
市場價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):Q/RBJ21066

封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1).

開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號(hào):IRF5M3205.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時(shí)間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式

TO-254

SMD-1

單位

額定功率PD

100

100

W
漏源擊穿電壓BVDSS
5555V
導(dǎo)通電阻RDS
0.020.02Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
3535A
熱阻Rthjc
1.251.25℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號(hào)

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

   RDS(ON)

VGS=10V,ID=IDM2

-

-

0.02

Ω

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=0.25mA
55

-

-
V
開啟電壓
VGS(th)
ID=0.25mA2

-

4
V

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=20V

-

-

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-20V

-

-

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
4000-
pF


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熱線電話
029-85251919