特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):Q/RBJ21066
封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1).
開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。
替代國外型號(hào):IRF5M3205.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時(shí)間不超過10秒。
參數(shù)名稱|封裝形式 | TO-254 | SMD-1 | 單位 |
額定功率PD
| 100 | 100 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| 55 | 55 | V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.02 | 0.02 | Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| 35 | 35 | A
|
熱阻Rthjc
| 1.25 | 1.25 | ℃/W |
主要電特性
參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2
| -
| -
| 0.02 | Ω |
漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=0.25mA
| 55
| -
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| ID=0.25mA | 2
| -
| 4
| V
|
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=20V | -
| -
| 100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=-20V | -
| -
| -100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 4000 | -
| pF
|