LYNM6660、LYNM6661小功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
LYNM6660、LYNM6661小功率N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:A3-02B、UA、SMD-0.2型.

開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:2N6660、2N6661;


極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數(shù)名稱

額定功率PD

漏源擊穿電壓BVDSS

漏極電流IDM

Tstg,Tj

mW
V
A
LYNM6660725
60
0.99
-65~150
LYNM666190
0.86
注:TA=25℃時的參數(shù)。


主要電特性

參數(shù)名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

      RDS(ON)

LYNM6660

VGS=10V,ID=1A

-

2

3

Ω

LYNM66613
4
漏源擊穿電壓BVDSSLYNM6660

VGS=0V,ID=1μA

60
90
-
V
LYNM666190
110
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=1mA0.8
-
2.5
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0-
-
1
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=15V

-

-

100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=-15V

-

-

-100

nA

電容
CISS
VDS=25V,VGS=0,f=1MHz-
3050
pF
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熱線電話
029-85251919