特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5).
開(kāi)關(guān)速度快、損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬，溫度穩(wěn)定性好。
替代國(guó)外型號(hào)：IRF840.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃;工作溫度Tamb：-55℃~125℃。
| 參數(shù)名稱|封裝形式 | TO-257 | SMD-0.5 | 單位 |
額定功率PD
| 125 | 75 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| 500 | 500 | V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.85 | 0.85 | Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| 8 | 8 | A
|
| 漏極電流IDM2(TC=100℃) | 4.8 | 4.8 | A
|
主要電特性
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2
| -
| -
| 0.85 | Ω |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=0.25mA
| 100
| -
| -
| V
|
開(kāi)啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=0.25mA | 2
| -
| 4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=BVDSS,VGS=0V | -
| -
| 25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=20V | -
| -
| 100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=-20V | -
| -
| -100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=50V,VGS=0,f=1MHz | -
| 1300 | -
| pF
|
