特性
執(zhí)行標準:QZJ840611A
封裝形式:金屬陶瓷封裝(SMD-0.2).
開關(guān)速度快、損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬，溫度穩(wěn)定性好。
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃;工作溫度Tamb：-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃，焊接時間不超過10秒。
| 參數(shù)名稱|封裝形式 | TO-257 | SMD-0.2 | 單位 |
額定功率PD
| 2 | 2 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| -55 | -55 | V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.15 | 0.15 | Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| -3.4 | -3.4 | A
|
| 漏極電流IDM2(TC=100℃) | -2.5 | -2.5 | A
|
熱阻Rthjc
| - | - | ℃/W |
主要電特性
| 參數(shù)名稱 | 符號 | 測試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=IDM2
| -
| -
| 0.15 | Ω |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=-0.25mA
| -55
| -
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=-0.25mA | -1
| -
| -4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=BVDSS,VGS=0V | -
| -
| -25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=-20V | -
| -
| -100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=20V | -
| - | 100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 690 | -
| pF |
