LYPM9024 型大功率P溝道MOS場效應晶體管
LYPM9024 型大功率P溝道MOS場效應晶體管
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1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產品詳情

特性

執(zhí)行標準:QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(LCC-18);金屬圓帽封裝(A3-02B)


開關速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:IRFE9024、IRFF9024.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式

LCC-18

A3-02B
TO-257

SMD-0.5

單位

額定功率PD

14

20

20

14

W
漏源擊穿電壓BVDSS
-60-60-60-60V
導通電阻RDS
0.280.280.280.28Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
-5.4-6.4-6.4-5.4A
漏極電流IDM2(TC=100℃)-3.4-4.1-4.1-3.4A
熱阻Rthjc
9.16.256.259.1℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導通電阻

   RDS(ON)

VGS=-10V,ID=IDM2

-

-

0.28

Ω

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=-1mA
-60

-

-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=-0.25mA-2

-

-4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-
-
-25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=-20V

-

-

-100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=20V

-

-

100

nA

電容
CISS
VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz-

570

-
pF
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熱線電話
029-85251919