LYPM9120型大功率P溝道MOS場效應晶體管
LYPM9120型大功率P溝道MOS場效應晶體管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標準:QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(LCC-18);金屬圓帽封裝(A3-02B)


開關速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:IRFE9120、IRFF9120.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式

LCC-18

A3-02B
TO-257

SMD-0.5

單位

額定功率PD

14

14

20

14

W
漏源擊穿電壓BVDSS
-100-100-100-100V
導通電阻RDS
0.60.60.60.6Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
-3.5-4-4-3.5A
漏極電流IDM2(TC=100℃)-2.2-2.6-2.6-2.2A
熱阻Rthjc
9.16.256.259.1℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導通電阻

   RDS(ON)

VGS=-10V,ID=IDM2

-

-

0.6

Ω

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=-1mA
-100

-

-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=-0.25mA-2

-

-4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-
-
-25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=-20V

-

-

-100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=20V

-

-

100

nA

電容
CISS
VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz-

380

-
pF
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熱線電話
029-85251919