LYPM9130型大功率P溝道MOS場效應晶體管
LYPM9130型大功率P溝道MOS場效應晶體管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標準:QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5、LCC-18);金屬圓帽封裝(A3-02B、B2-01C)


開關速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:IRFY9130CM、IRHN9130IRFE9130、IRFF9130、IRF9130.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式TO-257SMD-0.5B2-01CA3-02B
LCC-18

單位

額定功率PD

75

75

75

25

25

W
漏源擊穿電壓BVDSS
-100-100-100-100-100V
導通電阻RDS
0.30.290.30.30.3Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
-11.2-11-11-6.5-6.5A
漏極電流IDM2(TC=100℃)-7.1-7-7-4.1-4.1A
熱阻Rthjc
1.671.671.6755℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導通電阻

   RDS(ON)

VGS=-10V,ID=IDM2

-

0.25

0.3(1)(3)(4)(5)

Ω

0.29(2)
漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=-1mA
-100
105-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=-0.25mA-2

-3.5

-4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-

-

-25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=-20V

-

-

-100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=20V

-

-

100

nA

電容
CISS
VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz-

800(1)(4)

-
pF
1200(2)
790(3)
860(5)
注:(1)TO-257型封裝;(2)SMD-0.5型封裝,(3)LCC-18型封裝;(4)A3-02B型封裝,(5)B2-01C型封裝.
——————
熱線電話
029-85251919