特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1);金屬圓帽封裝(B2-01C)
開(kāi)關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。
替代國(guó)外型號(hào):IRHM9150、IRHN9150、IRH9150.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過(guò)260℃,焊接時(shí)間不超過(guò)10秒。
參數(shù)名稱|封裝形式 | TO-254 | SMD-1 | B2-01C | 單位 |
額定功率PD
| 150 | 150 | 150 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| -100 | -100 | -100 | V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.08 | 0.08 | 0.075 | Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| -22 | -22 | -22 | A
|
漏極電流IDM2(TC=100℃) | -14 | -14 | -14 | A
|
熱阻Rthjc
| 0.83 | 0.83 | 0.83 | ℃/W |
主要電特性
參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=IDM2
| -
| 0.05
| 0.08(1) | Ω |
0.075(2) |
漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=-1mA
| -100
| -110 | -
| V
|
開(kāi)啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=-0.25mA | -2
| -3.2 | -4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=0.8BVDSS,VGS=0V | -
| -
| -25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=-20V | -
| -
| -100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=20V | -
| -
| 100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 4300 | -
| pF
|
注:(1)TO-254、SMD-1型封裝;(2)B2-01C型封裝. |