LYPM9160型大功率P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
LYPM9160型大功率P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
市場(chǎng)價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫(kù)存量:
11
購(gòu)買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1、SMD-2);金屬圓帽封裝(B2-01C)


開(kāi)關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國(guó)外型號(hào):IRHM9160IRHN9160、IRHNA9160、IRH9160.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過(guò)260℃,焊接時(shí)間不超過(guò)10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式TO-254SMD-1SMD-2B2-01C

單位

額定功率PD

250

150

300

250

W
漏源擊穿電壓BVDSS
-100-100-100-100V
導(dǎo)通電阻RDS
0.0730.060.0680.073Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
-35-18-38-35A
漏極電流IDM2(TC=100℃)-24-11-24-24A
熱阻Rthjc
0.750.750.420.75℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號(hào)

測(cè)試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值


導(dǎo)通電阻


   RDS(ON)


VGS=-10V,ID=IDM2


-


0.05

0.073(1)


Ω

0.06(2)
0.068(3)
漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=-1mA
-100
-105-
V
開(kāi)啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=-0.25mA-2

-3.3

-4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-

-

-25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=-20V

-

-

-100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=20V

-

-

100

nA

電容
CISS
VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz-

6000

-
pF
注:(1)TO-254、B2-01C型封裝;(2)SMD-1型封裝、(3)SMD-2型封裝
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熱線電話
029-85251919