特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-1、SMD-2);金屬圓帽封裝(B2-01C)
開(kāi)關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。
替代國(guó)外型號(hào):IRHM9160、IRHN9160、IRHNA9160、IRH9160.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過(guò)260℃,焊接時(shí)間不超過(guò)10秒。
參數(shù)名稱|封裝形式 | TO-254 | SMD-1 | SMD-2 | B2-01C | 單位 |
額定功率PD
| 250 | 150 | 300 | 250 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| -100 | -100 | -100 | -100 | V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 0.073 | 0.06 | 0.068 | 0.073 | Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| -35 | -18 | -38 | -35 | A
|
漏極電流IDM2(TC=100℃) | -24 | -11 | -24 | -24 | A
|
熱阻Rthjc
| 0.75 | 0.75 | 0.42 | 0.75 | ℃/W |
主要電特性
參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 |
RDS(ON) |
VGS=-10V,ID=IDM2
|
-
|
0.05
| 0.073(1) |
Ω |
0.06(2) |
0.068(3) |
漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=-1mA
| -100
| -105 | -
| V
|
開(kāi)啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=-0.25mA | -2
| -3.3 | -4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=0.8BVDSS,VGS=0V | -
| -
| -25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=-20V | -
| -
| -100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=20V | -
| -
| 100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 6000 | -
| pF
|
注:(1)TO-254、B2-01C型封裝;(2)SMD-1型封裝、(3)SMD-2型封裝 |