LYPM9210型大功率P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
LYPM9210型大功率P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
市場(chǎng)價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫(kù)存量:
11
購(gòu)買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5、LCC-18);金屬圓帽封裝(A3-02B)


開(kāi)關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國(guó)外型號(hào):IRFE9210、IRFF9210.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過(guò)260℃,焊接時(shí)間不超過(guò)10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式LCC-18SMD-0.5A3-02BTO-257

單位

額定功率PD

11

15

15

15

W
漏源擊穿電壓BVDSS
-200-200-200-200V
導(dǎo)通電阻RDS
3333Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
-1.3-1.5-1.5-1.5A
漏極電流IDM2(TC=100℃)-0.84-0.97-0.97-0.97A
熱阻Rthjc
118.38.38.3℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號(hào)

測(cè)試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值

導(dǎo)通電阻

   RDS(ON)

VGS=-10V,ID=IDM2

-

-

3

Ω

漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=-1mA
-200

-

-
V
開(kāi)啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=-0.25mA-2

-

-4
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-
-
-25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=-20V

-

-

-100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=20V

-

-

100

nA

電容
CISS
VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz-

170

-
pF
——————
熱線電話
029-85251919