特性
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A
封裝形式:通孔插裝(TO-257);金屬陶瓷封裝(SMD-0.5、LCC-18)；金屬圓帽封裝(A3-02B)
開關(guān)速度快、損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功耗小安全工作區(qū)寬，溫度穩(wěn)定性好。
替代國外型號(hào)：IRFE9220、IRFF9220.
極限參數(shù)
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃;工作溫度Tamb：-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃，焊接時(shí)間不超過10秒。
| 參數(shù)名稱|封裝形式 | A3-02B | LCC-18 | SMD-0.5 | TO-257 | 單位 |
額定功率PD
| 14 | 14 | 25 | 25 | W
|
漏源擊穿電壓BVDSS
| -200 | -200 | -200 | -200 | V
|
導(dǎo)通電阻RDS
| 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | Ω |
漏極電流IDM1(TC=25℃)
| -2.5 | -2.1 | -2.5 | -2.5 | A
|
| 漏極電流IDM2(TC=100℃) | -1.6 | -1.5 | -1.6 | -1.6 | A
|
熱阻Rthjc
| 6.25 | 9.1 | 6.25 | 6.25 | ℃/W |
主要電特性
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測試條件 | 規(guī)范值 | 單位 |
最小值 | 典型值
| 最大值 |
導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=IDM2
| -
| -
| 1.5 | Ω |
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0,ID=-1mA
| -200
| -
| -
| V
|
開啟電壓
| VGS(th)
| VDS=VGS,ID=-0.25mA | -2
| -
| -4
| V
|
零柵壓漏極電流
| IDSS
| VDS=0.8BVDSS,VGS=0V | -
| -
| -25
| μA |
正向柵極漏電流
| IGSSF
| VGS=-20V | -
| -
| -100
| nA
|
反向柵極漏電流 | IGSSR | VGS=20V | -
| -
| 100 | nA |
電容
| CISS
| VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz | -
| 330 | -
| pF |
