LYPM9260型大功率P溝道MOS場效應(yīng)晶體管
LYPM9260型大功率P溝道MOS場效應(yīng)晶體管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特性

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QZJ840611A

封裝形式:通孔插裝(TO-254);金屬陶瓷封裝(SMD-2);金屬圓帽封裝(B2-01C)


開關(guān)速度快、損耗小,輸入阻抗高,驅(qū)動功耗小安全工作區(qū)寬,溫度穩(wěn)定性好。

替代國外型號:IRHM9260、IRHNA9260、IRF9260.

極限參數(shù)

貯存溫度Tstg:-55℃~150℃;工作溫度Tamb:-55℃~125℃;焊接溫度不超過260℃,焊接時間不超過10秒。


參數(shù)名稱|封裝形式TO-254SMD-2B2-01C

單位

額定功率PD

250

300

250

W
漏源擊穿電壓BVDSS
-200-200-200V
導(dǎo)通電阻RDS
0.160.1540.16Ω
漏極電流IDM1(TC=25℃)
-27-29-27A
漏極電流IDM2(TC=100℃)-17-18-17A
熱阻Rthjc
0.50.420.5℃/W


主要電特性

參數(shù)名稱符號

測試條件

規(guī)范

單位

最小值

典型值

最大值


導(dǎo)通電阻


   RDS(ON)


VGS=-10V,ID=IDM2


-


0.12

0.16(1)


Ω

0.154(2)
漏源擊穿電壓BVDSSVGS=0,ID=-1mA
-200
-250-
V
開啟電壓
VGS(th)
VDS=VGS,ID=-0.25mA-3

-3.8

-5
V
零柵壓漏極電流
IDSS
VDS=0.8BVDSS,VGS=0V-

-

-25
μA

正向柵極漏電流

IGSSF

VGS=-20V

-

-

-100

nA

反向柵極漏電流

IGSSR

VGS=20V

-

-

100

nA

電容
CISS
VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz-

6220(1)

-
pF
6143(2)
注:(1)TO-254、B2-01C型封裝;(2)SMD-2型封裝
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