肖特基二極管是由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)制成的金屬半導(dǎo)體器件。A作為正電極，N型半導(dǎo)體B作為負(fù)電極，并利用在兩者的接觸表面上形成的勢(shì)壘的整流特性。因?yàn)樵贜型半導(dǎo)體中有大量的電子，而在貴金屬中只有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴(kuò)散到低濃度的A。顯然，在金屬A中沒(méi)有空穴，因此沒(méi)有空穴從A到B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子繼續(xù)從B擴(kuò)散到A，B表面上的電子濃度逐漸降低，表面的電中性被破壞，從而形成電場(chǎng)方向?yàn)锽A的勢(shì)壘。然而，在該電場(chǎng)的作用下，A中的電子也將產(chǎn)生從A到B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而削弱由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立一定寬度的空間電荷區(qū)時(shí)，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和不同濃度引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)平衡，從而形成肖特基勢(shì)壘。
典型的肖特基整流器的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)基于N型半導(dǎo)體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽(yáng)極由鉬或鋁和其他材料制成，以形成阻擋層。二氧化硅(二氧化硅)用于消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)并提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導(dǎo)通電阻，并且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底下面形成一個(gè)氮陰極層，以降低陰極的接觸電阻。如圖所示，通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，在N型襯底和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)正向偏置電壓施加到肖特基勢(shì)壘的兩端時(shí)(陽(yáng)極金屬連接到電源的陽(yáng)極，并且N型襯底連接到電源的陰極)，肖特基勢(shì)壘層變得更窄，并且其內(nèi)部電阻變得更小。另一方面，如果反向偏壓被施加到肖特基勢(shì)壘的兩端，肖特基勢(shì)壘層變寬，并且其內(nèi)部電阻變大。
肖特基二極管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大不同。PN結(jié)整流管通常被稱為結(jié)整流管，而金屬半導(dǎo)管整流管被稱為肖特基整流管。用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問(wèn)世，它不僅可以節(jié)約貴金屬，大大降低成本，還可以提高參數(shù)的一致性。
上述就是
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