西安國創(chuàng)電子股份有限公司
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參數(shù)名稱
擊穿
電壓
正向
微分電阻
總電容
反向
電流
瞬態(tài)熱阻
載流分子壽命
反向恢復
時間
串聯(lián)電阻
壓降
封裝
類型
符號
V(BR)
rF
Ctot
Ir
Rth
T
trr
Rs
VF
—
測試條件
IR=10μA
IF=100mA
f=50Hz
VR=30V, f=lMHz
VR=200V
Tw=1s
IF=10mA
IR=100mA
f=100MHz
單位
V
Ω
pF
μA
℃/W
ns
型號|極值值
最小
最大
WK0001H
3.5@20mA
0.45@50V
1@150V
300@10s(typ)
1.05@100mA
DO-35
WK0002A
2.6@20mA
0.1@0V/0.07@(-6v)
1@80V
75@(0.5A,10ms)
120
W121
WK0002B
W122
WK0003
1.0
0.6@50V
1@100V
350
芯片
WK0004
1.2
0.05@50V
130
WK31a
4.5@20mA
0.05-0.1
20@20/200mA
B341
WK314a
5.0@20mA
0.1
1@50V
8@20/200mA
WK351
50
0.25@(-6v)
WK352
0.3@(-6v)
WK361
0.6
3.5@50V
1@300V
55@1A
82000
0.35(typ)
0.95@100mA
DO-41
WK362
4@50V
WK39H
2.5@20mA
1.2@50V
116@10s(typ)
0.58(typ)
1.0@100mA
WK4153H
2.5@0V
8@10/10mA
0.55@0.1mA
注:WK31a、WK314a、插損、隔離度見分類表
隔離度
插損
IS0
IL
f=(16.0~16.5)GHz
VR=12V
IF=15mA
f=(16.5~17)GHz
dB
WK311A
10
1.5
WK311B
WK312A
20
WK312B
WK313A
25
0.75
WK313B
f=(15.9~16.1)GHz
VR=5V
WK314A
23
1
WK314B
15
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