西安國(guó)創(chuàng)電子股份有限公司
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參數(shù)名稱
擊穿電壓
反向電流
正向微分電阻
總電容
電容變比
截至頻率
封裝
類型
符號(hào)
V(BR)
IR
rF
Cj(-0)
Ct(-2)
Ct(-4)
γ
fe
一
測(cè)試條件
IR=10μA
VR=0.8V(BR)
IF=20mA
f=50Hz
VR=0V
f=1MHz
VR=2V
VR=4V
Ct0/CtV(BR)
f=9.375GHz
單位
V
nA
Ω
pF
GHz
型號(hào)\極限值
最小
最大
WB64711~64714
15
3.0
1.2~2.5
4.5~6.0
40~50
W205
WB64721~64724
20
WB64811~64814
0.75~1.2
3.5-4.0
50~80
WB64821~64824
—
3.5~4.0
WB70101
3.0~4.0
1.5~3.0
7.0
40
T209
WB70102
60
WB70111
8.0
WB70112
WB70201
4.0~5.5
7.5
WB70202
WB70211
4.0~5_5
8.5
WB70212
WB7611
2.0~3.5
4.7
TI29
WB7612
70
WB7613
5.5
WB7614
WB7615
6.3
WB7616
WB7621
18
3.5~5.0
5.7
WB7622
WB7623
6.4
WB7624
WB7625
7.1
WB7626
WB7631
5.0~7.0
WB7632
7.4
WB7633
WB2005HA
50
(0.5~1.0)a
4.5
50@6V
T182
WB2005HB
(1.0~2.0)a
WB2005HC
(2.0~3.0)a
6.5
WB2005HD
(3.0~5.0)a
WB2007A
100
10~12
10
WB2007B
30
WB2011H
2.5
7~10
10.0
10@500MHz
注:a此電容值為零偏壓結(jié)電容。
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