砷化鎵倍頻變?nèi)荻O管主要電特性參數(shù)（TA=25℃)

參數(shù)名稱

擊穿電壓

反向電流

正向

微分電阻

結(jié)電容

電容變比

優(yōu)值

截至頻率

封裝

類型

符號(hào)

V_(BR)

I_R

r_F

C_j(-0)

γ

Q

f_e

一

測試條件

IR=10μA

VR=0.8V_(BR)

I_F=20mA

f=50Hz

V_R=0V

f=1MHz

C_t0/C_tV(BR)

V_R=0V

f=9.375GHz

V_R=6V

f=9.375GHz

一

單位

V

nA

Ω

pF

一

一

GHz

一

型號(hào)\極限值

最小

最大

最大

最大

最小

最小

最小

一

WB6012A

20

15

3.0

0.5～0.75

3.0

8

一

W205

WB6012B

20

15

3.0

0.5～0.75

3.0

10

一

WB6022A

20

15

3.0

0.75～1.0

3.0

5

一

WB6022B

20

15

3.0

0.75～1.0

3.0

8

一

WB6031

10

15

3.0

1.0~1.5

2.5

4.5

一

WB6032

20

15

3.0

1.0~1.5

3.2

4.5

一

WB6033

30

15

3.0

1.0~1.5

3.8

4.0

一

WB6041

10

15

3.0

1.5～2.0

2.7

3.5

一

WB6042

20

15

3.0

1.5～2.0

3.5

3.5

一

WB6043

30

15

3.0

1.5～2.0

4.0

3.5

一

WB6051

10

15

3.0

2.0～3.0

2.7

3.0

一

WB6052

20

15

3.0

2.0～3.0

3.5

3.0

一

WB6053

30

15

3.0

2.0～3.0

4.0

3.0

一

WB751

15

15

2.0_@50mA

0.08～0.20

一

一

100

WB752

20

15

2.0_@50mA

0.08～0.20

一

一

100

WB2004A

25

100

3.0

0.35～0.45

2.0

一

100

T209

WB2004B

25

100

3.0

0.35～0.45

2.0

一

200

WB2004C

25

100

3.0

0.45～0.55

2.3

一

100

WB2004D

25

100

3.0

0.45～0.55

2.3

一

200

WB2004E

25

100

3.0

0.55～0.65

2.6

一

100

WB2004F

25

100

3.0

0.55～0.65

2.6

一

150

WB2006

15

100

3.0

0.15~0.25

1.5

一

100

W121

WB2008A

25

100

3.0

0.5～1.5

3.0

一

50_@4v

F25-1

WB2008B

35

100

3.0

0.5～1.5

4.0

一

50_@4v

WB2009H

15

100

3.0@40mA

0.1～0.2

1.5

一

20

T129

WB2012

15

100

3.0

0.15～0.25

一

一

550

T089

WB2002

20

50

3.0

0.1～0.3

一

一

100

芯片