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宇航用存儲(chǔ)器
型號(hào)	類(lèi)型	抗輻射性能	容量 (Bit)	讀取時(shí)間 (ns)	工作電壓 (V)	輸入電平	封裝	兼容型號(hào)
GB7156ARH	SRAM	TID ≥ 100KRad(Si) SEL ≥ 75MeV.cm²/mg SEU Error Rate ≤ 1E-10 error/bit-day in Geosynchronous Orbit	32Kx8	40	5	TTL	CDIP28	UT7156
GB65608EARH	SRAM		128Kx8	45	5	TTL	CQFP68	M65608E
GB8R128K32RH	SRAM		128Kx32	15	Core:1.8 I/O:3.3	CMOS	CQFP68	UT8R128K32
GB8CR256K32RH	SRAM		256Kx32	25	Core:1.8 I/O:3.3	CMOS	CQFP68	--
GB8R512K8ARH	SRAM		512Kx8	17	Core:1.8 I/O:3.3	CMOS	CFP36	UT8R512K8
*GB9Q512ERH	SRAM		512Kx8	20	5 or 3.3	TTL	CFP36	UT8Q512E UT9Q512E
GB8CR512K32ARH	SRAM		512Kx32	19	Core:1.8 I/O:3.3	CMOS	CQFP68	UT8CR512K32
*GB9Q512K32ERH	SRAM		512Kx32	25	5 or 3.3	TTL	CFP68	UT8Q512K32E UT9Q512K32E
GB8R512K39RH	SRAM		512Kx39	Read:20Write:10	Core:1.2 I/O:3.3	CMOS	CQFP84	--
GB8CR1M32RH	SRAM		1Mx32	Read:20Write:10	Core:1.2 I/O:3.3	CMOS	CQFP84	UT8ER1M32
GB8CR1M39RH	SRAM		1Mx39	Read:20Write:10	Core:1.2 I/O:3.3	CMOS	CQFP84	UT8R1M39
GB8CR2M32RH	SRAM		2Mx32	Read:20Write:10	Core:1.2 I/O:3.3	CMOS	CQFP84	UT8ER2M32
*GB7134RH	Dual port SRAM		4Kx8	35	5	TTL	CDIP48	IDT7134
*GB7006RH	Dual port SRAM		16Kx8	40	5	TTL	CQFP68	IDT7006
*GB1245RH	QDR SRAM	TID ≥ 300KRad(Si) SEL ≥ 75MeV.cm²/mg SEU Error Rate ≤ 1E-10 error/bit-day in Geosynchronous Orbit	1Mx36	工作頻率:250MHz	Vdd:1.8, I/O:1.4~vdd	HSTL	CCGA165	CY7C12451KV18
*GB1545RH	QDR SRAM		2Mx36	工作頻率:250MHz	Vdd:1.8, I/O:1.4~vdd	HSTL	CCGA165	CYRS1545AV18
*GB1645RH	QDR SRAM		4Mx36	Operating requency:400MHz	Vdd:1.8, I/O:1.4~vdd	HSTL	CCGA165	CY7C1645KV18
*GB4141RH	QDR SRAM	TID ≥ 300KRad(Si) SEL ≥ 75MeV.cm²/mg SEU Error Rate ≤ 1E-10 error/bit-day in Geosynchronous Orbit(add EDAC)	4Mx36	Operating requency:666MHz	Vdd:1.8, I/O:1.4~vdd	HSTL	CCGA165	CY7C4141KV13
GB7204ARH	Asynchronous FIFO	TID ≥ 100KRad(Si) SEL ≥ 75MeV.cm²/mg SEU ≥ 37MeV.cm²/mg	4Kx9	25	5	TTL	CDIP28	IDT7204
GB6664RH	PROM	TID ≥ 100KRad(Si) SEL ≥ 75MeV.cm²/mg SEU ≥ 37MeV.cm²/mg SEU（memory cell） ≥ 75MeV.cm²/mg	8Kx8	45	5	TTL	CDIP28	HS-6664RH
GB28F256RH	PROM		32Kx8	45	5	TTL	CFP28 CDIP28	UT28F256QLE
GB28F256LVRH	PROM		32Kx8	65	3.3	CMOS	CFP28 CDIP28	UT28F256LVQLE
*GB28F1024RH	PROM		32Kx32	65	5	TTL	CQFP64	--
*GB28C64RH	FLASH		64K	65	5	TTL	CDIP28	--
*GB28C256RH	FLASH		256K	65	5	TTL	CFP28 CDIP28	--
*GB28C256LVRH	FLASH		256K	65	3.3	CMOS	CFP28 CDIP28	--
GB18V04RH	FLASH		4M	Operating requency:20MHz	3.3	TTL	CQFJ44	XQR18V04
GB17V16RH	Anti-fuse type PROM		16M	20	3.3	CMOS	CQFJ44	XQR17V16

存儲(chǔ)器
型號(hào)	類(lèi)型	容量 (Bit)	讀取時(shí)間 (ns)	工作電壓 (V)	輸入電平	封裝	兼容型號(hào)
GBQ18V04CL	FLASH	4M	25	3.3	LVTTL	CLCC44	XQ18V04
GBQ18V04CQ	FLASH	4M	25	3.3	LVTTL	CQFP44	XQ18V04
GBQ18V04ECQ	FLASH	4M	25	3.3	LVTTL	CQFP44	XQ18V04
GBCF08P	FLASH	8M	Operating frequency:33MHz	Core:1.2 I/O:1.8~3.3	CMOS	CSOP48	XCF08P
GBCF16P	FLASH	16M	Operating frequency:33MHz	Core:1.2 I/O:1.8~3.3	CMOS	CSOP48	XCF16P
GBCF32P	FLASH	32M	Operating frequency:33MHz	Core:1.2 I/O:1.8~3.3	CMOS	CSOP48	XCF32P
*GB25LV128	FLASH	128M	Operating frequency:133MHz	3.3	CMOS	SOP16	MX25L128
*GB25LV256	FLASH	256M	Operating frequency:133MHz	3.3	CMOS	SOP16	MX25L256
*GB25LV512	FLASH	512M	Operating frequency:133MHz	3.3	CMOS	SOP16	MX25L512